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    Stake > Stake中心 > 半导体应用 > 光刻晶圆

    技术规格展示

    制程

    能力及精度

    光刻胶涂布

    旋涂

    胶厚精度≤3%

    (适用于平面)

    光刻胶涂

    喷涂

    胶厚精度≤10%

    (适用于平面/凹凸面)

    光刻

    精度 2um

    套准精度:0.15um

    显影

    精度2um

    显影均匀性<5%

    蚀刻

    尺寸散差 ±1um

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